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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71JL064H80BAI020 |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| 封裝： | 11.60 X 8 MM, FBGA-73 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 83/95頁(yè) |
| 文件大小： | 2244K |
| 代理商： | S71JL064H80BAI020 |
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84
S29JL064H
S71JLxxxHxx_00A1 February 25, 2004
Pr el i m i n ary
Temporary Sector Unprotect
Note: Not 100% tested.
Note: DQ2 toggles only when read at an address within an erase-suspended sector. The system may use OE# or CE#
to toggle DQ2 and DQ6.
Figure 24. DQ2 vs. DQ6
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
tVIDR
VID Rise and Fall Time (see Note)
Min
500
ns
tVHH
VHH Rise and Fall Time (see Note)
Min
250
ns
tRSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
s
tRRB
RESET# Hold Time from RY/BY# High for
Temporary Sector Unprotect
Min
4
s
Figure 25. Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
Enter
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
Program
Resume
Embedded
Erasing
RESET#
tVIDR
VID
VSS, VIL,
or VIH
VID
VSS, VIL,
or VIH
CE#
WE#
RY/BY#
tVIDR
tRSP
Program or Erase Command Sequence
tRRB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| S71WS512NC0BAWEN0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEN2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71KL512SC0BHV000 | 功能描述:IC 512MB FLASH 64MB DRAM 24FBGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperFlash? + HyperRAM? KL 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:多芯（FLASH/RAM） 存儲(chǔ)器類型:FLASH + DRAM 存儲(chǔ)容量:512Mbit Flash, 64Mbit RAM 速度:100MHz 接口:并聯(lián)，串行 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA） 封裝/外殼:24-VBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-FBGA（6x8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:338 |
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| S71NS032JA0BJWRT | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
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