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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S1C88317D0A0100 |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | MICROCONTROLLER, UUC170 |
| 封裝： | DIE-170 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 77/343頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2396K |
| 代理商： | S1C88317D0A0100 |
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I-156
EPSON
S1C88348/317/316/308 TECHNICAL HARDWARE
7 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Write cycle (Normal operating mode)
7.6 AC Characteristics
s External memory access
Read cycle (Normal operating mode)
Read cycle (High speed operating mode)
Read cycle (Low power operating mode)
Item
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Address set-up time in read cycle
Address hold time in read cycle
Read signal pulse width
Data input set-up time in read cycle
Data input hold time in read cycle
tras
trah
trp
trds
trdh
nS
Note
1
Note) 1
Condition: VDD = 2.4 to 5.5 V, VSS = 0 V, Ta = -40 to 85
°C, VIH1 = 0.8VDD, VIL1 = 0.2VDD, VIH2 = 1.6 V, VIL2 = 0.6 V,
VOH = 0.8VDD, VOL = 0.2VDD, CL = 100 pF (load capacitance)
Substitute the number of states for wait insertion in n.
tc+tl-100+ntc/2
th-80
tc-20+ntc/2
300
0
Item
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Address set-up time in read cycle
Address hold time in read cycle
Read signal pulse width
Data input set-up time in read cycle
Data input hold time in read cycle
tras
trah
trp
trds
trdh
nS
Note
1
Note) 1
Condition: VDD = 3.5 to 5.5 V, VSS = 0 V, Ta = -40 to 85
°C, VIH1 = 0.8VDD, VIL1 = 0.2VDD, VIH2 = 2.4 V, VIL2 = 0.9 V,
VOH = 0.8VDD, VOL = 0.2VDD, CL = 100 pF (load capacitance)
Substitute the number of states for wait insertion in n.
tc+tl-50+ntc/2
th-40
tc-10+ntc/2
150
0
Item
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Address set-up time in read cycle
Address hold time in read cycle
Read signal pulse width
Data input set-up time in read cycle
Data input hold time in read cycle
tras
trah
trp
trds
trdh
S
Note
Condition: VDD = 1.8 to 3.5 V, VSS = 0 V, Ta = -40 to 85
°C, VIH1 = 0.8VDD, VIL1 = 0.2VDD, VIH2 = 1.0 V, VIL2 = 0.3 V,
VOH = 0.8VDD, VOL = 0.2VDD, CL = 100 pF (load capacitance)
15
5
10
0
Item
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Address set-up time in write cycle
Address hold time in write cycle
Write signal pulse width
Data output set-up time in write cycle
Data output hold time in write cycle
twas
twah
twp
twds
twdh
nS
Note
1
Note) 1
Condition: VDD = 2.4 to 5.5 V, VSS = 0 V, Ta = -40 to 85
°C, VIH1 = 0.8VDD, VIL1 = 0.2VDD, VIH2 = 1.6 V, VIL2 = 0.6 V,
VOH = 0.8VDD, VOL = 0.2VDD, CL = 100 pF (load capacitance)
Substitute the number of states for wait insertion in n.
tc-180
th-80
tl-40+ntc/2
tc-180+ntc/2
th-80
th+80
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