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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PN200A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | PNP General Purpose Amplifier |
| 中文描述： | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 86/105頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2030K |
| 代理商： | PN200A |
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P
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)GSS
Gate-Source Breakdown Voltage
I
GSS
Gate Reverse Current
ON CHARACTERISTICS
I
DSS
Zero-Gate Voltage Drain Current*
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0
PN4391
PN4392
PN4393
PN4391
PN4392
PN4393
PN4391
PN4392
PN4393
50
25
5.0
150
75
30
0.4
0.4
0.4
30
60
100
mA
mA
mA
V
V
V
V
DS(
on
)
Drain-Source On Voltage
I
D
=
12 mA, V
GS
= 0
I
D
=
6.0 mA, V
GS
= 0
I
D
=
3.0 mA, V
GS
= 0
I
D
=
1.0 mA, V
GS
= 0
r
DS(
on
)
Drain-Source On Resistance
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
r
ds(on)
Drain-Source On Resistance
V
DS
= V
GS
= 0, f= 1.0 kHz
PN4391
PN4392
PN4393
30
60
100
14
3.5
3.5
3.5
pF
pF
pF
pF
C
iss
C
rss
Input Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V
DS
= 20, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz
V
GS
= 12 V, f = 1.0 MHz
V
GS
= 7.0 V, f = 1.0 MHz
V
GS
= 5.0 V, f = 1.0 MHz
PN4391
PN4392
PN4393
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
r
Rise Time
I
D(
on
)
= 12 mA
I
D(
on
)
= 6.0 mA
I
D(
on
)
= 3.0 mA
V
GS(
off)
= 12 V
V
GS(
off)
= 6.0 V
V
GS(
off)
= 3.0 V
I
D(
on)
= 12 mA
I
D(
on)
= 6.0 mA
I
D(
on)
= 3.0 mA
V
GS(
off)
= 12 V
V
GS(
off)
= 6.0 V
V
GS(
off)
= 3.0 V
PN4391
PN4392
PN4393
PN4391
PN4392
PN4393
PN4391
PN4392
PN4393
PN4391
PN4392
PN4393
5.0
5.0
5.0
15
20
30
15
15
15
20
35
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
f
Fall Time
t
on
Turn-On Time
t
off
Turn-Off Time
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
1.0%
I
G
= 1.0
μ
A, V
DS
= 0
V
GS
= 15 V, V
DS
= 0
V
GS
= 15 V, V
DS
= 0, T
A
= 150
°
C
V
DS
= 20 V, I
D
= 1.0 nA
- 30
V
nA
μ
A
V
V
V
V
nA
nA
nA
- 1.0
- 0.2
- 10
- 5.0
- 3.0
1.0
0.1
0.1
0.1
V
GS(off)
Gate-Source Cutoff Voltage
PN4391
PN4392
PN4393
- 4.0
- 2.0
- 0.5
V
GS(f)
I
D(off)
Gate-Source Forward Voltage
Drain Cutoff Leakage Current
I
G
= 1.0 mA, V
DS
= 0
V
DS
= 20 V, V
GS
= 12 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 7.0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 5.0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 12 V, T
A
= 150
°
C
PN4391
PN4392
PN4393
PN4391
V
DS
= 20 V, V
GS
= 7.0 V,T
A
= 150
°
C
PN4392
V
DS
= 20 V, V
GS
= 5.0 V,T
A
= 150
°
C
PN4393
0.2
0.2
0.2
μ
A
μ
A
μ
A
N-Channel Switch
(continued)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PN202SQ | PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | DOME-3.0 |
| PN202SR | PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | DOME-3.0 |
| PNZ202S(PN202S) | 光デバイス － 受光素子 － ダーリントンフォトトランジスタ |
| PNZ202SQ | PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | DOME-3.0 |
| PNZ202SR | PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | DOME-3.0 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PN200A_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN200A_D74Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN200A_D75Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN200A_J18Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN200A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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