參數(shù)資料
型號(hào): PN200A
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: PNP General Purpose Amplifier
中文描述: 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù): 22/105頁
文件大?。?/td> 2030K
代理商: PN200A
P
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage*
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
C
obo
Output Capacitance
Input Capacitance
NF
Noise Figure
*
Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, Duty Cycle
3.0%
I
C
= 10
μ
A, I
B
= 0
I
C
= 10 mA, I
E
= 0
60
60
V
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
V
CB
= 45 V, I
E
= 0
V
CB
= 45 V, I
E
= 0, T
A
= 150
°
C
V
EB
= 5.0 V, I
C
= 0
5.0
V
nA
μ
A
nA
10
10
10
I
EBO
Emitter Cutoff Current
V
CB
=5.0 V, f = 140 kHz
V
EB
= 0.5 V, f = 140 kHz
I
C
= 10
μ
A, V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 10k,f = 1.0 kHz,BW =200 Hz
6.0
6.0
3.0
pF
pF
dB
C
ibo
I
C
= 1.0 mA, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10 mA, V
CE
= 5.0 V*
I
C
= 1.0 mA, I
B
= 0.1 mA
I
C
= 1.0 mA, V
CE
= 5.0 V
250
800
0.35
0.95
V
CE(
sat
)
V
BE(
on
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
V
V
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
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PDF描述
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PN200A_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN200A_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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