參數(shù)資料
型號(hào)： PN200A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP General Purpose Amplifier
中文描述： 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 27/105頁(yè)
文件大小： 2030K
代理商： PN200A
P
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
PN2907A
625
5.0
83.3
200
*PZT2907A
1,000
8.0
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
125
Symbol
Characteristic
Max
Units
**MMBT2907A
350
2.8
357
MMPQ2907
1,000
8.0
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
°
C/W
R
θ
JA
Effective 4 Die
Each Die
125
240
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics
*
Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm
2
.
**
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0
100
200
300
400
500
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
F
125 °C
25 °C
- 40 °C
V = 5V
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
500
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
β
= 10
25 °C
- 40 oC
125 oC
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PN200A_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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