參數(shù)資料
型號(hào)： PN200A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP General Purpose Amplifier
中文描述： 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 49/105頁(yè)
文件大?。?/td> 2030K
代理商： PN200A
P
Discrete POWE R & Signal
T echnologies
PN4117
PN4118
PN4119
MMBF4117
MMBF4118
MMBF4119
N-Channel Switch
This device is designed for low current DC and audio applications.
These devices provide excellent performance as input stages for
sub-picoamp instrumentation or any high impedance signal
sources. Sourced from Process 53.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
,T
stg
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Forward Gate Current
Operating and Storage Junction Temperature Range
40
- 40
50
V
V
mA
°
C
-55 to +150
Symbol
Characteristic
Max
Units
PN4117
350
2.8
125
357
*MMBF4117
225
1.8
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
556
GSD
TO-92
G
S
D
SOT-23
Mark: 61A / 61C / 61E
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
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PDF描述
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PN200A_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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