參數(shù)資料
型號(hào)： PN200A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP General Purpose Amplifier
中文描述： 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 50/105頁(yè)
文件大?。?/td> 2030K
代理商： PN200A
P
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)GSS
Gate-Source Breakdown Voltage
I
GSS
Gate Reverse Current
ON CHARACTERISTICS
I
DSS
Zero-Gate Voltage Drain Current*
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0
PN4117
PN4118
PN4119
30
80
200
90
240
600
μ
A
μ
A
μ
A
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
g
fs
Common-Source Forward
Transconductance
*
Pulse Test: Pulse Width
￡
300
m
s, Duty Cycle
￡
1.0%
I
G
= 1.0
μ
A, V
DS
= 0
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0, T
A
= 150
°
C
V
DS
= 10 V, I
D
= 1.0 nA
- 40
V
pA
nA
V
V
V
- 10
- 25
- 1.8
- 3.0
- 6.0
V
GS(off)
Gate-Source Cutoff Voltage
PN4117
PN4118
PN4119
- 0.6
- 1.0
- 2.0
V
DS
= 10 V V
GS
= 0, f= 1.0 kHz
PN4117
PN4118
PN4119
70
80
100
210
250
330
μ
mhos
μ
mhos
μ
mhos
g
oss
Common-Source Output Conductance
V
DS
= 10 V V
GS
= 0, f= 1.0 kHz
PN4117
PN4118
PN4119
3.0
5.0
10
μ
mhos
μ
mhos
μ
mhos
R
e(yfs)
Common-Source Forwad
Transconductance
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0, f= 30 MHz
PN4117
PN4118
PN4119
60
70
90
μ
mhos
μ
mhos
μ
mhos
pF
pF
C
iss
C
rss
Input Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0, f= 1.0 kHz
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0, f= 1.0 MHz,
3.0
1.5
N-Channel Switch
(continued)
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PDF描述
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PN200A_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN200A_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN200A_J18Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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