參數(shù)資料
型號(hào)： PN200A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP General Purpose Amplifier
中文描述： 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 26/105頁(yè)
文件大?。?/td> 2030K
代理商： PN200A
P
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
B
Base Cutoff Current
I
CEX
Collector Cutoff Current
I
CBO
Collector Cutoff Current
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
(except MMPQ2907 and NMT2907)
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
I
= 50 mA, V
CE
= 20 V,
f = 100 MHz
V
= 10 V, I
E
= 0,
f = 100 kHz
V
= 2.0 V, I
C
= 0,
f = 100 kHz
200
MHz
C
obo
Output Capacitance
8.0
pF
C
ibo
Input Capacitance
30
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
(except MMPQ2907 and NMT2907)
t
on
Turn-on Time
t
d
Delay Time
t
r
Rise Time
t
off
Turn-off Time
t
s
Storage Time
t
f
Fall Time
*
Pulse Test: Pulse Width
￡
300
m
s, Duty Cycle
￡
2.0%
V
CC
= 30 V, I
C
= 150 mA,
I
B1
= 15 mA
45
10
40
100
80
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 6.0 V, I
C
= 150 mA
I
B1
= I
B2
= 15 mA
Spice Model
PNP (Is=650.6E-18 Xti=3 Eg=1.11 Vaf=115.7 Bf=231.7 Ne=1.829 Ise=54.81f Ikf=1.079 Xtb=1.5 Br=3.563 Nc=2
Isc=0 Ikr=0 Rc=.715 Cjc=14.76p Mjc=.5383 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=19.82p Mje=.3357 Vje=.75 Tr=111.3n Tf=603.7p
Itf=.65 Vtf=5 Xtf=1.7 Rb=10)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 30 V, V
EB
= 0.5 V
V
CE
= 30 V, V
BE
= 0.5 V
V
CB
= 50 V, I
E
= 0
V
CB
= 50 V, I
E
= 0, T
A
= 150
°
C
60
60
5.0
V
V
V
nA
nA
μ
A
μ
A
50
50
0.02
20
I
C
= 0.1 mA, V
CE
= 10 V
I
C
= 1.0 mA, V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA, V
CE
= 10 V
I
C
= 150 mA, V
CE
= 10 V*
I
C
= 500 mA, V
CE
= 10 V*
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA*
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
75
100
100
100
50
300
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage*
0.4
1.6
1.3
2.6
V
V
V
V
V
BE(
sat
)
Base-Emitter Saturation Voltage
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
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PDF描述
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PN200A_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN200A_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN200A_J18Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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