參數(shù)資料
型號(hào)： PN200A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP General Purpose Amplifier
中文描述： 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 44/105頁(yè)
文件大?。?/td> 2030K
代理商： PN200A
P
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CES
Collector Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 50 V, I
E
= 0
V
CE
= 50 V, I
E
= 0, T
A
= +65
°
C
30
60
5.0
V
V
V
nA
μ
A
50
1.0
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 10 V, I
C
= 150 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 500 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
100
20
300
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.22
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
C
ob
Output Capacitance
η
Collector Efficiency
V
CB
= 10 V, f = 140 kHz,
V
= 15 V, f = 30 MHz,
Rg = 140
, RL = 260
V
CE
= 15 V, f = 30 MHz,
Rg = 140
, RL = 260
I
C
= 50 mA, V
CE
= 5.0 V,
f = 100 MHz
8.0
pF
%
60
G
pe
Amplifier Power Gain
10
dB
h
fe
Small-Signal Current Gain
2.5
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
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PDF描述
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PN200A_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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