參數(shù)資料
型號: PN200A
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP General Purpose Amplifier
中文描述: 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù): 8/105頁
文件大?。?/td> 2030K
代理商: PN200A
P
Typical Characteristics
(continued)
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
300
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
β
= 10
25 °C
- 40 oC
125 oC
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
V = 5V
25 °C
- 40 oC
125 oC
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
C
o
V = 50V
C
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
70
75
80
85
90
95
RESISTANCE (k )
B
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Collector Saturation Region
100
300
700
2000 4000
0
1
2
3
4
I - BASE CURRENT (uA)
V
C
50 mA
300 mA
100 uA
Ta = 25°C
Ic =
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
10
100
V - COLLECTOR VOLTAGE(V)
C
Cib
Cob
f = 1.0 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PN202SQ PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | DOME-3.0
PN202SR PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | DOME-3.0
PNZ202S(PN202S) 光デバイス - 受光素子 - ダーリントンフォトトランジスタ
PNZ202SQ PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | DOME-3.0
PNZ202SR PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | DOME-3.0
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PN200A_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN200A_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN200A_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN200A_J18Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN200A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2