參數(shù)資料
型號： NTMD2C02R2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts
中文描述： 5.2 A, 20 V, 0.043 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 751-07, SOIC-8
文件頁數(shù)： 7/16頁
文件大小： 117K
代理商： NTMD2C02R2
NTMD2C02R2
http://onsemi.com
7
N–Channel
P–Channel
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate–To–Source and Drain–To–Source
Voltage versus Total Charge
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate–To–Source and Drain–To–Source
Voltage versus Total Charge
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
20
V
4
0
0
1
0
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
5
4
8
16
I
D
= 6 A
V
DS
= 16 V
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 25
°
C
12
V
DS
V
GS
Q2
Q1
3
2
8
12
4
16
QT
R
G
, GATE RESISTANCE (OHMS)
1
10
100
100
10
t
V
DS
= 16 V
I
D
= 4.0 A
V
GS
= 4.5 V
t
r
t
d(on)
1000
t
f
t
d(off)
GATE–TO–SOURCE OR DRAIN–TO–SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
C
1000
10
0
5
10
5
T
J
= 25
°
C
C
iss
C
oss
C
rss
15
20
0
2000
C
iss
C
rss
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
DS
V
GS
500
1500
2500
t
r
t
t
d (off)
V
DD
= –10 V
I
D
V
GS
= –2.7 V
t
f
t
d (on)
10
100
10
1.0
100
1000
R
G,
GATE RESISTANCE (OHMS)
GATE–TO–SOURCE OR DRAIN–TO–SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
C
iss
C
rss
C
oss
C
iss
C
rss
20
10
1500
1200
5
0
5
10
15
900
600
300
0
C
–V
DS
–V
GS
–
G
G
QT
Q2
Q1
V
GS
I
D
= –2.4 A
T
J
= 25
°
C
V
DS
0
8
0
3
5
1
2
4
2
4
6
10
14
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
–
D
D
12
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