參數(shù)資料
型號(hào)： NTMD2C02R2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts
中文描述： 5.2 A, 20 V, 0.043 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 751-07, SOIC-8
文件頁數(shù)： 13/16頁
文件大小： 117K
代理商： NTMD2C02R2
NTMD2C02R2
http://onsemi.com
13
PACKAGE DIMENSIONS
STYLE 14:
PIN 1.
NSOURCE
NGATE
PSOURCE
PGATE
PDRAIN
PDRAIN
NDRAIN
NDRAIN
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
SO–8
CASE 751–07
ISSUE AA
SEATING
PLANE
1
4
5
8
N
J
X 45
K
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A AND B DO NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006) PER
SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL IN
EXCESS OF THE D DIMENSION AT MAXIMUM
MATERIAL CONDITION.
6. 751-01 THRU 751-06 ARE OBSOLETE. NEW
STANDAARD IS 751-07
A
B
S
D
H
C
0.10 (0.004)
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
M
N
S
MIN
4.80
3.80
1.35
0.33
MAX
5.00
4.00
1.75
0.51
MIN
0.189
0.150
0.053
0.013
MAX
0.197
0.157
0.069
0.020
INCHES
MILLIMETERS
1.27 BSC
0.10
0.19
0.40
0
0.25
5.80
0.050 BSC
0.004
0.007
0.016
0
0.010
0.228
0.25
0.25
1.27
8
0.50
6.20
0.010
0.010
0.050
8
0.020
0.244
–X–
–Y–
G
M
Y
M
0.25 (0.010)
–Z–
Y
M
0.25 (0.010)
Z
S
X
S
M
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NTMD2C02R2SG 功能描述:MOSFET COMP20V 2A .043R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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NTMD2P01R2G 功能描述:MOSFET -16V 2.3A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTMD3N08 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | SO
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