參數(shù)資料
型號： NTMD2C02R2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts
中文描述： 5.2 A, 20 V, 0.043 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 751-07, SOIC-8
文件頁數(shù)： 3/16頁
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代理商： NTMD2C02R2
NTMD2C02R2
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS – continued
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted) (Note 6)
Characteristic
Symbol
Polarity
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS
– continued
(Note 8)
Total Gate Charge
Q
T
(N)
(P)
–
–
12
10
20
18
nC
Gate–Source Charge
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 4.0 Adc,
V
GS
= 4.5 Vdc)
Q
1
(N)
(P)
–
–
1.5
1.5
–
–
Gate–Drain Charge
(V
DS
= 6.0 Vdc, I
D
= 2.0 Adc,
V
GS
= 4.5 Vdc)
Q
2
(N)
(P)
–
–
4.0
5.0
–
–
Q
3
(N)
(P)
–
–
3.0
3.0
–
–
SOURCE–DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C)
Forward Voltage (Note 7)
(I
S
= 4.0 Adc, V
GS
= 0 Vdc)
(I
S
= 2.4 Adc, V
GS
= 0 Vdc)
V
SD
(N)
(P)
–
–
0.83
0.88
1.1
1.0
Vdc
Reverse Recovery Time
t
rr
(N)
(P)
–
–
30
37
–
–
ns
(I
F
= I
S
,
t
a
(N)
(P)
–
–
15
16
–
–
dI
S
/dt = 100 A/
μ
s)
t
b
(N)
(P)
–
–
15
21
–
–
Reverse Recovery Stored
Charge
Q
RR
(N)
(P)
–
–
0.02
0.025
–
–
μ
C
6. Negative signs for P–Channel device omitted for clarity.
7. Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%.
8. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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