參數(shù)資料
型號(hào): NTMD2C02R2
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: JFETs
英文描述: Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts
中文描述: 5.2 A, 20 V, 0.043 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: CASE 751-07, SOIC-8
文件頁數(shù): 14/16頁
文件大?。?/td> 117K
代理商: NTMD2C02R2
NTMD2C02R2
http://onsemi.com
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Notes
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
NTMD2C02R2G 功能描述:MOSFET 20V 5.2A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTMD2C02R2SG 功能描述:MOSFET COMP20V 2A .043R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTMD2P01R2 功能描述:MOSFET -16V 2.3A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTMD2P01R2G 功能描述:MOSFET -16V 2.3A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTMD3N08 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | SO