參數(shù)資料
型號(hào)： NTMD2C02R2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts
中文描述： 5.2 A, 20 V, 0.043 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 751-07, SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 5/16頁(yè)
文件大?。?/td> 117K
代理商： NTMD2C02R2
NTMD2C02R2
http://onsemi.com
5
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
N–Channel
P–Channel
Figure 3. On–Resistance versus
Gate–To–Source Voltage
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 3. On–Resistance versus
Gate–To–Source Voltage
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
T
J
= 25
°
C
2
0.2
0.15
4
6
0.1
0.05
0
8
–V
GS,
GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
,
T
J
= 25
°
C
V
GS
= –2.7 V
V
GS
= –4.5 V
1
0.12
0.1
1.5
2
2.5
3.5
0.08
0.06
0.04
4.5
4
3
–I
D,
DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
,
I
D
= –2.4 A
V
GS
= –4.5 V
150
–50
1.6
1.4
–25
0
25
75
1.2
1
0.8
0.6
125
100
50
T
J,
JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
R
D
,
R
V
GS
, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0.07
0.03
0.02
0.01
10
8
6
4
2
0
0
I
D
= 6.0 A
T
J
= 25
°
C
0.04
0.05
0.06
R
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
7
5
3
1
0.03
0.02
R
0.01
0.05
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 2.5 V
4.5 V
11
9
13
0.04
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
1.6
1.4
1.2
1
0.8
150
125
100
75
50
25
0
–25
–50
0.6
R
I
D
= 6.0 A
V
GS
= 4.5 V
(
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NTMD2P01R2G 功能描述:MOSFET -16V 2.3A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTMD3N08 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | SO
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