參數(shù)資料
型號(hào)： MT28F320A18
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁(yè)數(shù)： 20/37頁(yè)
文件大?。?/td> 558K
代理商： MT28F320A18
2 MEG x 16
1.8V ENHANCED+ BOOT BLOCK FLASH MEMORY
PRELIMINARY
2 Meg x 16, 1.8V Enhanced+ Boot Block Flash Memory
MT28F320A18_3.fm - Rev. 3, Pub. 9/2002
2002, Micron Technology Inc.
20
Figure 4: Automated Word
Programming Flowchart
Notes: 1.
Full status register check can be done after each word or after a sequence of words.
2.
SR3 must be cleared before attempting additional PROGRAM/ERASE operations.
3.
SR5 is cleared only by the CLEAR STATUS REGISTER command in cases where multiple blocks are erased before
full status is checked.
YES
NO
Full Status Register
Check (optional)
NO
YES
PROGRAM
SUSPEND
SR7 = 1
Issue PROGRAM SETUP
Command and
Word Address
Start
Word Program Passed
V
PP
Range Error
Word Program Failed
FULL STATUS REGISTER CHECK FLOW
Read Status Register
Bits
Issue Word Address
and Word Data
PROGRAM
SUSPEND Loop
1
YES
NO
SR1 = 0
YES
NO
SR3 = 0
YES
NO
SR4 = 0
Word Program
Completed
Read Status Register
Bits
PROGRAM Attempted
on a Locked Block
BUS
OPERATION
WRITE
COMMAND
WRITE
PROGRAM
SETUP
WRITE DATA
COMMENTS
Data = 40h or 10h
Addr = Address of word to
be programmed
Data = Word to be
programmed
Addr = Address of word to
be programmed
Status register data
Toggle OE# or CE# to
update status register.
Check SR7
1 = Ready, 0 = Busy
WRITE
READ
Standby
Repeat for subsequent words.
Write FFh after the last word programming operation to
return the device to read array mode.
BUS
OPERATION COMMAND
COMMENTS
Standby
Check SR1
1 = Detect locked block
Check SR3
1 = Detect V
PP
LOW
Check SR4
3
1 = Word program error
Standby
Standby
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT2D18 1 Meg x 8 DRAM Module(5V，1M x 8 動(dòng)態(tài)RAM模塊)
MT46V16M4 4 Meg x 4 x 4 banks DDR SDRAM(4 M x 4 x 4組，雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM)
MT46V4M16 1 Meg x 16 x 4 banks DDR SDRAM(1M x 16 x 4組，雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM)
MT46V8M8 2 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(2 M x 8 x 4組，雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM)
MT46V2M32LG DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT28F320J3 制造商:MICRON 制造商全稱(chēng):Micron Technology 功能描述:Q-FLASHTM MEMORY
MT28F320J3BS-11 ET 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 64FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):Q2841869
MT28F320J3BS-11 ET TR 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 64FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤(pán)
MT28F320J3BS-11 GMET 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 64FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):Q2841869
MT28F320J3BS-11 GMET TR 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 64FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤(pán)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*