參數(shù)資料
型號(hào)： MT28F320A18
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁數(shù)： 1/37頁
文件大?。?/td> 558K
代理商： MT28F320A18
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2 Meg x 16, 1.8V Enhanced+ Boot Block Flash Memory
MT28F320A18_3.fm - Rev. 3, Pub. 9/2002
2002, Micron Technology Inc.
1
2 MEG x 16
1.8V ENHANCED+ BOOT BLOCK FLASH MEMORY
FLASH MEMORY
PRELIMINARY
MT28F320A18
Low Voltage, Extended Temperature
0.15μm Process Technology
FEATURES
32Mb block architecture
Seventy-one erasable blocks:
Eight 4K-word parameter blocks
Sixty-three 32K-word main memory blocks
V
CC
, V
CC
Q, V
PP
voltages*
1.65V (MIN), 1.95V (MAX) V
CC
, V
CC
Q
0.9V (MIN), 1.95V (MAX) V
PP
(in-system
PROGRAM/ERASE)
12V ±5% (HV) V
PP
tolerant (factory programming
compatibility)
Random access time: 70ns @ 1.65V V
CC
Low power consumption (V
CC
= 1.8V)
Asynchronous Read < 18mA
Write/Erase < 40mA (MAX)
Standby < 50μA (MAX)
Automatic power saving feature (APS)
Enhanced write and erase suspend options
ERASE-SUSPEND-to-READ
PROGRAM-SUSPEND-to-READ
ERASE-SUSPEND-to-PROGRAM
Dual 64-bit chip protection registers for security
purposes
Cross-compatible command support
Extended command set
Common flash interface
PROGRAM/ERASE cycle
100,000 WRITE/ERASE cycles per block
(V
PP
= V
PP1)
*An extended voltage range of 1.65V–2.20V for Vcc and VccQ,
and 0.9V–2.20V for Vpp is available upon request. A voltage
range of 1.42V–1.60V for VccQ is also available upon request.
Ball Assignment
48-Ball FBGA
Note:
See page 6 for Ball Description table.
See page 36 for mechanical drawing.
Part Number Example:
MT28F320A18FF-70 TET
OPTIONS
Timing
70ns access
Configurations
2 Meg x 16
Boot Block Configuration
Top
Bottom
Package
48-ball FBGA (6 x 8 ball grid)
Temperature Range
Extended (-40oC to +85oC)
MARKING
-70
MT28F320A18
T
B
FF
ET
A
B
C
D
E
F
1
2
3
4
5
6
7
8
Top View
(Ball Down)
A13
A14
A15
A16
V
CC
Q
V
SS
A19
A17
A6
DQ8
DQ9
DQ10
WP#
A18
A20
DQ2
DQ3
V
CC
A8
WE#
A9
DQ5
DQ6
DQ13
A4
A2
A1
A0
V
SS
OE#
A7
A5
A3
CE#
DQ0
DQ1
A11
A10
A12
DQ14
DQ15
DQ7
V
PP
RP#
DQ11
DQ12
DQ4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT2D18 1 Meg x 8 DRAM Module(5V，1M x 8 動(dòng)態(tài)RAM模塊)
MT46V16M4 4 Meg x 4 x 4 banks DDR SDRAM(4 M x 4 x 4組，雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM)
MT46V4M16 1 Meg x 16 x 4 banks DDR SDRAM(1M x 16 x 4組，雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM)
MT46V8M8 2 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(2 M x 8 x 4組，雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM)
MT46V2M32LG DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM
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參數(shù)描述
MT28F320J3 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:Q-FLASHTM MEMORY
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MT28F320J3BS-11 ET TR 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
MT28F320J3BS-11 GMET 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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