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參數(shù)資料
| 型號： | MCHC908RK2CSDR2 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 4 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO20 |
| 封裝： | PLASTIC, SSOP-20 |
| 文件頁數(shù)： | 108/181頁 |
| 文件大小： | 2384K |
| 代理商： | MCHC908RK2CSDR2 |
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Memory
Data Sheet
MC68HC908RK2 — Rev. 5.0
32
Memory
MOTOROLA
2.5.3 FLASH 2TS Erase Operation
Use this step-by-step procedure to erase a block of FLASH 2TS memory. Refer to
13.11 Memory Characteristics for a detailed description of the times used in this
algorithm.
1.
Set the ERASE, BLK0, BLK1, and FDIV0 bits in the FLASH 2TS control
sizes.
2.
Ensure target portion of array is unprotected by reading the block protect
register at address $FFF0. Refer to 2.5.5 FLASH 2TS Block Protection
and 2.5.6 FLASH 2TS Block Protect Register for more information.
3.
Write to any FLASH 2TS address with any data within the block address
range desired.
4.
Set the HVEN bit.
5.
Wait for a time, tErase.
6.
Clear the HVEN bit.
7.
Wait for a time, t Kill, for the high voltages to dissipate.
8.
Clear the ERASE bit.
9.
After a time, tHVD, the memory can be accessed in read mode again.
NOTE:
While these operations must be performed in the order shown, other unrelated
operations may occur between the steps.
Table 2-3 shows the various block sizes which can be erased in one erase
operation.
In step 3 of the erase operation, the cared addresses are latched and used to
determine the location of the block to be erased. For instance, with
BLK0 = BLK1 = 0, writing to any FLASH 2TS address in the range $7800 to $78F0
will enable the erase of all FLASH memory.
Table 2-3. Erase Block Sizes
BLK1
BLK0
Block Size, Addresses Cared
0
Full array: 2 Kbytes
0
1
One-half array: 1 Kbytes
1
0
Eight rows: 64 bytes
1
Single row: 8 bytes
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