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參數(shù)資料
| 型號： | M58LR128FB95ZB6E |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 95 ns, PBGA56 |
| 封裝： | 7.70 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-56 |
| 文件頁數(shù)： | 33/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 1303K |
| 代理商： | M58LR128FB95ZB6E |
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M58LR128FT, M58LR128FB
Table 20. DC Characteristics - Voltages
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VIL
Input Low Voltage
–0.5
0.4
V
VIH
Input High Voltage
VDDQ –0.4
VDDQ + 0.4
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 100A
0.1
V
VOH
Output High Voltage
IOH = –100A
VDDQ –0.1
V
VPP1
VPP Program Voltage-Logic
Program, Erase
1.1
1.8
3.3
V
VPPH
VPP Program Voltage Factory
Program, Erase
8.5
9.0
12.6
V
VPPLK
Program or Erase Lockout
0.4
V
VLKO
VDD Lock Voltage
1V
VRPH
RP pin Extended High Voltage
3.3
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW128A150N1 | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 150 ns, PDSO56 |
| M58WR064HU70ZB6U | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 |
| M59DR032F100N1T | 2M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| M5F7924 | 24 V FIXED NEGATIVE REGULATOR, PSFM3 |
| M5F7920 | 20 V FIXED NEGATIVE REGULATOR, PSFM3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LR128FB95ZB6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58LR128FB95ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58LR128FT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58LR128FT85ZB6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58LR128FT85ZB6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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