參數(shù)資料
型號(hào)： LT1158
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Half Bridge N-Channel Power MOSFET Driver(半橋,N-溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器)
中文描述： 半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器（半橋的N溝道功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器）
文件頁數(shù)： 19/20頁
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代理商： LT1158
LT1158
19
Control Logic for Locked Anti-Phase Drive
Motor stops if either side is shorted to ground
Control Logic for Sign/Magnitude Drive
+
1
μ
F
1N4148
PWM
DIRECTION
STOP
(FREE RUN)
ENABLE A
INPUT A
FAULT A
ENABLE B
INPUT B
FAULT B
74HC02
1158F17b
0.1
μ
F
1N4148
PWM
5V
ENABLE A
INPUT A
FAULT A
ENABLE B
INPUT B
FAULT B
74HC132
1158F17c
5.1k
0.01
μ
F
150k
Figure 17. 10A Full Bridge Motor Control
Information furnished by Linear Technology Corporation is believed to be accurate and reliable.
However, no responsibility is assumed for its use. Linear Technology Corporation makes no represen-
tation that the interconnection of its circuits as described herein will not infringe on existing patent rights.
TYPICAL APPLICATIO
N
S
LT1158 F17a
+
0.01
μ
F
LOW
ESR
15
SIDE B: SHOWS
CURRENT-SENSING
MOSFET CONNECTION
10V TO 30V
0.1
μ
F
Q1, Q3: IRF540 (STANDARD)
IRC540 (SENSE FET)
Q2, Q4: IRFZ44
D1, D2: BAT83
R
: DALE TYPE LVR-3
ULTRONIX RCS01
1N4148
+
+
–
Q2
0.01
μ
F
15
15
10
μ
F
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
BOOST
T GATE DR
T GATE FB
T SOURCE
SENSE
+
SENSE
–
V
+
B GATE DR
BOOST DR
V
+
BIAS
ENABLE
FAULT
INPUT
GND
B GATE FB
LT1158
1N4148
–
Q1
Q4
R
0.015
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
BOOST
T GATE DR
T GATE FB
T SOURCE
SENSE
+
SENSE
–
V
+
B GATE DR
BOOST DR
V
+
BIAS
ENABLE
FAULT
INPUT
GND
B GATE FB
LT1158
Q3
+
ENABLE A
INPUT A
FAULT A
ENABLE B
INPUT B
FAULT B
10
μ
F
470
μ
F
LOW
ESR
470
μ
F
15
2.4k
2.4k
0.1
μ
F
+
D1
47
D2
SIDE A: SHOWS
STANDARD MOSFET
CONNECTION
+
Μ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LT1160 Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers(半橋,N-溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器)
LT1161 1-of-8 Data Selectors/Multiplexers With 3-State Outputs 16-SOIC 0 to 70
LT1161C Quad Protected High-Side MOSFET Driver
LT1161CN Quad Protected High-Side MOSFET Driver
LT1161CS Quad Protected High-Side MOSFET Driver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LT1158C 制造商:LINER 制造商全稱:Linear Technology 功能描述:Half Bridge N-Channel Power MOSFET Driver
LT1158CN 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH 16DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1158CN#PBF 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH 16DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LT1158CS 制造商:Linear Technology 功能描述: 制造商:LINEAR_TECH 功能描述:
LT1158CSW 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH16SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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