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參數(shù)資料
| 型號： | KBE00F005A-D411 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| 中文描述： | 的512Mb的NAND * 2 256Mb的移動SDRAM * 2 |
| 文件頁數(shù)： | 69/87頁 |
| 文件大?。?/td> | 1353K |
| 代理商： | KBE00F005A-D411 |
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KBE00F005A-D411
MCP MEMORY
June 2005
69
Revision 1.0
Power Up Sequence
Single Bit Read - Write - Read Cycle(Same Page) @CAS Latency=3, Burst Length=1
Read & Write Cycle at Same Bank @Burst Length=4, tRDL=2CLK
Page Read & Write Cycle at Same Bank @Burst Length=4, tRDL=2CLK
Page Read Cycle at Different Bank @Burst Length=4
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4, tRDL=2CLK
Read & Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4
Read & Write Cycle With Auto Precharge l @Burst Length=4
Read & Write Cycle With Auto Precharge ll @Burst Length=4
Clock Suspension & DQM Operation Cycle @CAS Letency=2, Burst Length=4
Read Interrupted by Precharge Command & Read Burst Stop Cycle @ Full Page Burst
Write Interrupted by Precharge Command & Write Burst Stop Cycle @ Full Page Burst, tRDL=2CLK
Burst Read Single bit Write Cycle @Burst Length =2
Active/precharge Power Dower Down Mode @CAS Latency=2 Burst Length=4
Self Refresh Entry & Exit Cycle & Exit Cycle
Mode Register Set Cycle and Auto Refresh Cycle
Extended Mode Register Set Cycle
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00S003M | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBJ408G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ4005G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ401G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00G003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00G003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S009M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
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