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參數(shù)資料
| 型號： | KBE00F005A-D411 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| 中文描述： | 的512Mb的NAND * 2 256Mb的移動(dòng)SDRAM * 2 |
| 文件頁數(shù)： | 21/87頁 |
| 文件大小： | 1353K |
| 代理商： | KBE00F005A-D411 |
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KBE00F005A-D411
MCP MEMORY
June 2005
21
Revision 1.0
Command Latch Cycle
CE
WE
CLE
ALE
I/O
0
~
7
Command
Address Latch Cycle
t
CLS
t
CS
t
CLH
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
CE
WE
CLE
ALE
I/O
0
~
7
A
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~A
7
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CLS
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WC
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WP
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A
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~A
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WP
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17
~A
24
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WC
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DS
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ALH
t
ALS
t
WH
t
ALH
A
25,,
A
26
t
DS
t
DH
t
WP
I/O
DATA
I/Ox
Data In/Out
I/O 0 ~ I/O 7
~528byte
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00S003M | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBJ408G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ4005G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ401G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00G003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00G003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S009M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
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