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參數(shù)資料
| 型號： | KBE00F005A-D411 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| 中文描述： | 的512Mb的NAND * 2 256Mb的移動SDRAM * 2 |
| 文件頁數(shù)： | 66/87頁 |
| 文件大小： | 1353K |
| 代理商： | KBE00F005A-D411 |
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KBE00F005A-D411
MCP MEMORY
June 2005
66
Revision 1.0
FUNCTION TRUTH TABLE (TABLE 1)
Current
State
CS
RAS
CAS
WE
BA
Address
Action
Note
IDLE
H
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
H
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L
L
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X
H
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X
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X
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X
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X
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X
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L
L
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X
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X
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L
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L
X
H
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L
H
L
X
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H
L
X
H
L
X
H
L
H
L
X
H
L
H
L
H
L
X
X
H
L
H
L
H
L
X
X
H
L
H
L
H
L
X
X
H
L
X
X
X
X
H
L
X
X
X
X
X
X
BA
BA
BA
X
X
X
X
NOP
NOP
ILLEGAL
2
2
CA, A
10
/AP ILLEGAL
RA
A
10
/AP
X
OP code
X
X
X
CA, A
10
/AP Begin Read ; latch CA ; determine AP
CA, A
10
/AP Begin Read ; latch CA ; determine AP
RA
ILLEGAL
A
10
/AP
Precharge
X
ILLEGAL
X
NOP (Continue Burst to End --> Row Active)
X
NOP (Continue Burst to End --> Row Active)
X
Term burst --> Row active
CA, A
10
/AP Term burst, New Read, Determine AP
CA, A
10
/AP Term burst, New Write, Determine AP
RA
ILLEGAL
A
10
/AP
Term burst, Precharge timing for Reads
X
ILLEGAL
X
NOP (Continue Burst to End --> Row Active)
X
NOP (Continue Burst to End --> Row Active)
X
Term burst --> Row active
CA, A
10
/AP Term burst, New read, Determine AP
CA, A
10
/AP Term burst, New Write, Determine AP
RA
ILLEGAL
A
10
/AP
Term burst, precharge timing for Writes
X
ILLEGAL
X
NOP (Continue Burst to End --> Precharge)
X
NOP (Continue Burst to End --> Precharge)
X
ILLEGAL
CA, A
10
/AP ILLEGAL
RA, RA
10
ILLEGAL
X
ILLEGAL
X
NOP (Continue Burst to End --> Precharge)
X
NOP (Continue Burst to End --> Precharge)
X
ILLEGAL
CA, A
10
/AP ILLEGAL
RA, RA
10
ILLEGAL
X
ILLEGAL
Row (& Bank) Active ; Latch RA
NOP
Auto Refresh or Self Refresh
Mode Register Access
NOP
NOP
ILLEGAL
4
5
5
OP code
X
X
X
BA
BA
BA
BA
X
X
X
X
BA
BA
BA
BA
X
X
X
X
BA
BA
BA
BA
X
X
X
X
BA
BA
X
X
X
X
BA
BA
X
Row
Active
2
2
Read
3
2
Write
3
3
2
3
Read with
Auto
Precharge
2
Write with
Auto
Precharge
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00S003M | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBJ408G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ4005G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ401G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00G003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00G003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S009M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
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