參數(shù)資料
型號： KBE00F005A-D411
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
中文描述： 的512Mb的NAND * 2 256Mb的移動SDRAM * 2
文件頁數(shù)： 4/87頁
文件大?。?/td> 1353K
代理商： KBE00F005A-D411
June 2005
4
KBE00F005A-D411
MCP MEMORY
Revision 1.0
PIN CONFIGURATION
137 FBGA: Top View (Ball Down)
NAND
M-SDR
1
2
3
4
5
6
7
8
NC
CLE
Vcc
CE
WEn
Vdd
Vss
A4
WP
ALE
Vss
R/B
DQ31
DQ30
Vddq
A5
DQ25
DQ27
DQ29
DQ28
Vssq
A8
DQ18
NC
DQ22
DQM3
DQ26
Vddq
A11
DQ17
DQ19
DQ24
DQ23
RAS
DQ15
DQ16
DQ9
Vddq
CAS
DQ20
DQ21
NC
NC
Vss
CS
DQ14
DQ11
DQ10
NC
DQM0
Vssq
BA1
DQ7
DQ8
DQ6
DQ4
Vddq
A2
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ5
Vddq
Vss
NC
NC
Vssq
IO2
Vcc
IO6
Vddq
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
Vssq
DQM2
DNU
NC
DNU
DNU
NC
Vssq
Vss
NC
N
P
NC
DQM1
DQ13
DQ12
9
10
Vss
Vdd
A6
A12
NC
Vdd
Vss
WEd
A1
Vdd
Vssq
Vddq
Vssq
Vssq
Vdd
Vddq
Vssq
Vssq
Vddq
Vddq
Vss
IO4
Vdd
DNU
DNU
DNU
DNU
R
IO3
IO5
IO7
NC
NC
NC
NC
NC
RE
A7
A9
CKE
CLK
BA0
A0
A10
A3
IO0
IO1
NC
NC
NC
NC
CS1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KBE00S003M 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBJ408G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBJ4005G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBJ401G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00G003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00G003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S009M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
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