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參數(shù)資料
| 型號： | KBE00F005A-D411 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| 中文描述： | 的512Mb的NAND * 2 256Mb的移動SDRAM * 2 |
| 文件頁數(shù)： | 47/87頁 |
| 文件大小： | 1353K |
| 代理商： | KBE00F005A-D411 |
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KBE00F005A-D411
MCP MEMORY
June 2005
47
Revision 1.0
DC CHARACTERISTICS
Recommended operating conditions (Voltage referenced to V
SS
= 0V, T
A
= -25 to 85
°
C)
NOTES:
1. Measured with outputs open.
2. Refresh period is 64ms.
3. Unless otherwise noted, input swing IeveI is CMOS(VIH /VIL=VDDQ/VSSQ).
4. Measued with assumption that one of the 2 die should be in a state of Precharge standby in non power-down mode.
Parameter
Symbol
Test Condition
KBE00F005A-D411
111MHz@CL3
Unit
Note
Operating Current
(One Bank Active)
I
CC1
Burst length = 1
t
RC
≥
t
RC
(min)
I
O
= 0 mA
50
mA
1
Precharge Standby Current in
power-down mode
I
CC2
P
CKE
≤
V
IL
(max), t
CC
= 10ns
0.6
mA
I
CC2
PS
CKE & CLK
≤
V
IL
(max), t
CC
=
∞
0.6
Precharge Standby Current
in non power-down mode
I
CC2
N
CKE
≥
V
IH
(min), CS
≥
V
IH
(min), t
CC
= 10ns
Input signals are changed one time during 20ns
20
mA
I
CC2
NS
CKE
≥
V
IH
(min), CLK
≤
V
IL
(max), t
CC
=
∞
Input signals are stable
2
Active Standby Current
in power-down mode
I
CC3
P
CKE
≤
V
IL
(max), t
CC
= 10ns
6
mA
I
CC3
PS
CKE & CLK
≤
V
IL
(max), t
CC
=
∞
2
Active Standby Current
in non power-down mode
(One Bank Active)
I
CC3
N
CKE
≥
V
IH
(min), CS
≥
V
IH
(min), t
CC
= 10ns
Input signals are changed one time during 20ns
30
mA
I
CC3
NS
CKE
≥
V
IH
(min), CLK
≤
V
IL
(max), t
CC
=
∞
Input signals are stable
6
mA
Operating Current
(Burst Mode)
I
CC
4
I
O
= 0 mA
Page burst
4Banks Activated
t
CCD
= 2CLKs
90
mA
1
Refresh Current
I
CC
5
t
ARFC
≥
t
ARFC
(min)
70
mA
2
Self Refresh Current
I
CC
6
CKE
≤
0.2V
TCSR Range
Max 40
Max 85
°
C
Full Array
300
800
uA
1/2 of Full Array
240
600
1/4 of Full Array
200
500
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00S003M | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBJ408G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ4005G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ401G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00G003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00G003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S009M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
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