參數(shù)資料
型號： KAB03D100M-TNGP
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Multi-Chip Package MEMORY
中文描述： 多芯片封裝存儲器
文件頁數(shù)： 61/72頁
文件大?。?/td> 1378K
代理商： KAB03D100M-TNGP
KAB0xD100M - TxGP
Revision 1.11
August 2003
- 61 -
MCP MEMORY
SEC Only
NAND Flash Input Data Latch Cycle
CE
F
CLE
WE
DQ
x
DIN 0
DIN 1
DIN n
ALE
t
ALS
t
CLH
t
WC
t
CH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
WP
t
WH
t
WP
t
WP
≈
≈
≈
NAND Flash Sequential Out Cycle after Read
(CLE=L, WE=H, ALE=L)
RE
CE
F
R/B
F
DQ
x
Dout
Dout
Dout
t
RC
t
REA
t
RR
t
RHZ*
t
OH
t
REA
t
REH
t
REA
t
CHZ*
t
OH
t
RHZ*
≈
≈
≈
≈
NOTES :
Transition is measured
±
200mV from steady state voltage with load.
This parameter is sampled and not 100% tested.
t
RP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KAB04D100M-TLGP Multi-Chip Package MEMORY
KAB04D100M-TNGP Multi-Chip Package MEMORY
KAB01D100M Tantalum Conformal-Coated Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 10V; Packaging: Tape & Reel
KAB02D100M-TLGP Tantalum Conformal-Coated Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 10V; Packaging: Tape & Reel
KAB01D100M-TNGP CONNECTOR ACCESSORY
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參數(shù)描述
KAB04D100M-TLGP 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY
KAB04D100M-TNGP 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY
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KAB-1/2 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:TRON RECTIFIER FUSE
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