參數(shù)資料
型號： KAB03D100M-TNGP
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Multi-Chip Package MEMORY
中文描述： 多芯片封裝存儲器
文件頁數(shù)： 58/72頁
文件大小： 1378K
代理商： KAB03D100M-TNGP
KAB0xD100M - TxGP
Revision 1.11
August 2003
- 58 -
MCP MEMORY
SEC Only
Block Group Protect & Unprotect Operations
NOR Flash SWITCHING WAVEFORMS
CE
R
Temporary Block Group Unprotect
Program or Erase Command Sequence
RESET
WE
t
RSP
R/B
R
t
VID
V
ID
V
ss
,V
IL
,
or V
IH
V
ss
,V
IL
,
or V
IH
t
RRB
t
VID
BGA,A6
A1,A0
RESET
CE
R
WE
DATA
OE
V
ss
,V
IL
,
or V
IH
60H
60H
40H
Status*
Block Group Protect / Unprotect
Verify
1
μ
s
Block Group Protect:150
μ
s
Block Group UnProtect:15ms
NOTES:
Block Group Protect (A6=
V
IL
, A1=
V
IH
, A0=
V
IL
) , Status=01H
Block Group Unprotect (A6=
V
IH
, A1=
V
IH
,
A0=
V
IL
) , Status=00H
BGA = Block Group Address (A12 ~ A21)
R/B
R
V
ID
Valid
Valid
Valid
t
BUSY
t
RB
V
ss
,V
IL
,
or V
IH
相關PDF資料
PDF描述
KAB04D100M-TLGP Multi-Chip Package MEMORY
KAB04D100M-TNGP Multi-Chip Package MEMORY
KAB01D100M Tantalum Conformal-Coated Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 10V; Packaging: Tape & Reel
KAB02D100M-TLGP Tantalum Conformal-Coated Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 10V; Packaging: Tape & Reel
KAB01D100M-TNGP CONNECTOR ACCESSORY
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
KAB04D100M-TLGP 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY
KAB04D100M-TNGP 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY
KAB-1 功能描述:保險絲 TRON RECTIFIER FUSE RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品:Surface Mount Fuses 電流額定值:0.5 A 電壓額定值:600 V 保險絲類型:Fast Acting 保險絲大小/組:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安裝風格: 端接類型:SMD/SMT 系列:485
KAB-1/2 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:TRON RECTIFIER FUSE
KAB-10 功能描述:保險絲 10A RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品:Surface Mount Fuses 電流額定值:0.5 A 電壓額定值:600 V 保險絲類型:Fast Acting 保險絲大小/組:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安裝風格: 端接類型:SMD/SMT 系列:485
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