參數(shù)資料
型號(hào)： KAB03D100M-TLGP
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Multi-Chip Package MEMORY
中文描述： 多芯片封裝存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù)： 62/72頁(yè)
文件大?。?/td> 1378K
代理商： KAB03D100M-TLGP
KAB0xD100M - TxGP
Revision 1.11
August 2003
- 62 -
MCP MEMORY
SEC Only
NAND Flash Status Read Cycle
CE
F
WE
CLE
RE
DQ
x
70h
Status Output
t
CLS
t
CLH
t
CS
t
WP
t
CH
t
DS
t
DH
t
REA
t
IR
t
RHZ*
t
OH
t
CHZ*
t
OH
t
WHR
t
CEA
t
CLS
NAND FLASH READ1 OPERATION
(READ ONE PAGE)
CE
F
CLE
R/B
F
DQ
x
WE
ALE
RE
Busy
00h
A
0
~ A
7
A
9
~ A
16
A
17
~ A
23
Dout N
Dout N+1
Dout N+2
Dout N+3
Column
Address
Page(Row)
Address
t
WB
t
AR
t
R
t
RC
t
RHZ
t
OH
t
CHZ
Dout 264
t
WC
t
RR
≈
≈
≈
t
OH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KAB03D100M-TNGP Multi-Chip Package MEMORY
KAB04D100M-TLGP Multi-Chip Package MEMORY
KAB04D100M-TNGP Multi-Chip Package MEMORY
KAB01D100M Tantalum Conformal-Coated Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 10V; Packaging: Tape & Reel
KAB02D100M-TLGP Tantalum Conformal-Coated Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 10V; Packaging: Tape & Reel
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參數(shù)描述
KAB03D100M-TNGP 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY
KAB04D100M-TLGP 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY
KAB04D100M-TNGP 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY
KAB-1 功能描述:保險(xiǎn)絲 TRON RECTIFIER FUSE RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品:Surface Mount Fuses 電流額定值:0.5 A 電壓額定值:600 V 保險(xiǎn)絲類型:Fast Acting 保險(xiǎn)絲大小/組:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安裝風(fēng)格: 端接類型:SMD/SMT 系列:485
KAB-1/2 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:TRON RECTIFIER FUSE
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