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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KAB03D100M-TLGP |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Multi-Chip Package MEMORY |
| 中文描述： | 多芯片封裝存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 37/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 1378K |
| 代理商： | KAB03D100M-TLGP |
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KAB0xD100M - TxGP
Revision 1.11
August 2003
- 37 -
MCP MEMORY
SEC Only
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc
F
is below about 1.3V. WP pin provides hardware protection and is recommended to be kept at
V
IL
during power-up and power-down and recovery time of minimum 1
μ
s is required before internal circuit gets ready for any com-
mand sequences as shown in Figure 21. The two step command sequence for program/erase provides additional software protec-
tion.
Figure 21. AC Waveforms for Power Transition
V
cc
F
WP
High
≈
≈
WE
~ 2.5V
~ 2.5V
≈
10
μ
s
Data Protection & Powerup sequence
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KAB03D100M-TNGP | Multi-Chip Package MEMORY |
| KAB04D100M-TLGP | Multi-Chip Package MEMORY |
| KAB04D100M-TNGP | Multi-Chip Package MEMORY |
| KAB01D100M | Tantalum Conformal-Coated Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 10V; Packaging: Tape & Reel |
| KAB02D100M-TLGP | Tantalum Conformal-Coated Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 10V; Packaging: Tape & Reel |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KAB03D100M-TNGP | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY |
| KAB04D100M-TLGP | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY |
| KAB04D100M-TNGP | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY |
| KAB-1 | 功能描述:保險(xiǎn)絲 TRON RECTIFIER FUSE RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品:Surface Mount Fuses 電流額定值:0.5 A 電壓額定值:600 V 保險(xiǎn)絲類型:Fast Acting 保險(xiǎn)絲大小/組:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安裝風(fēng)格: 端接類型:SMD/SMT 系列:485 |
| KAB-1/2 | 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:TRON RECTIFIER FUSE |
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