參數資料
型號： KAB03D100M-TLGP
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Multi-Chip Package MEMORY
中文描述： 多芯片封裝存儲器
文件頁數： 54/72頁
文件大小： 1378K
代理商： KAB03D100M-TLGP
KAB0xD100M - TxGP
Revision 1.11
August 2003
- 54 -
MCP MEMORY
SEC Only
Read While Write Operations
NOR Flash SWITCHING WAVEFORMS
Parameter
Symbol
70ns
80ns
Unit
Min
Max
Min
Max
Write Cycle Time
t
WC
70
-
80
-
ns
Write Pulse Width
t
WP
35
-
35
-
ns
Write Pulse Width High
t
WPH
25
-
25
-
ns
Address Setup Time
t
AS
0
-
0
-
ns
Address Hold Time
t
AH
45
-
45
-
ns
Data Setup Time
t
DS
35
-
35
-
ns
Data Hold Time
t
DH
0
-
0
-
ns
Read Cycle Time
t
RC
70
-
80
-
ns
Chip Enable Access Time
t
CE
-
70
-
80
ns
Address Access Time
t
AA
-
70
-
80
ns
Output Enable Access Time
t
OE
-
25
-
25
ns
OE Setup Time
t
OES
0
-
0
-
ns
OE Hold Time
t
OEH2
10
-
10
-
ns
CE
R
& OE Disable Time
t
DF
-
16
-
16
ns
Address Hold Time
t
AHT
0
-
0
-
ns
CE
R
High during toggle bit polling
t
CEPH
20
-
20
-
ns
NOTE:
This is an example in the program-case of the Read While Write function.
DA1 : Address of Bank1, DA2 : Address of Bank 2
PA = Program Address at one bank , RA = Read Address at the other bank, PD = Program Data In , RD = Read Data Out
OE
CE
R
DQ
WE
t
RC
Read
Command
t
WC
Command
t
WC
Read
t
RC
Read
t
RC
Read
t
RC
t
AH
t
AA
t
CE
t
AS
t
AHT
t
AS
t
CEPH
t
OE
t
OES
t
WP
t
OEH2
t
DF
t
DS
t
DH
t
DF
DA1
DA2
(555H)
DA1
DA1
DA2
(PA)
DA2
(PA)
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Input
Valid
Output
Valid
Input
Status
Address
(A0H)
(PD)
相關PDF資料
PDF描述
KAB03D100M-TNGP Multi-Chip Package MEMORY
KAB04D100M-TLGP Multi-Chip Package MEMORY
KAB04D100M-TNGP Multi-Chip Package MEMORY
KAB01D100M Tantalum Conformal-Coated Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 10V; Packaging: Tape & Reel
KAB02D100M-TLGP Tantalum Conformal-Coated Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 10V; Packaging: Tape & Reel
相關代理商/技術參數
參數描述
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KAB-1/2 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:TRON RECTIFIER FUSE
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