參數(shù)資料
型號： K7B403625M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128Kx36-Bit Synchronous Burst SRAM
中文描述： 128K × 36至位同步突發(fā)靜態(tài)存儲器
文件頁數(shù)： 7/16頁
文件大小： 439K
代理商： K7B403625M
K7B403625M
128Kx36 Synchronous SRAM
- 7 -
Rev 2.0
December 1998
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=0 to 70
°
C, V
DD
=3.3V+0.3V/-0.165V)
* V
IL
(Min)=-2.0(Pulse Width
≤
t
CYC
/
2)
** V
IH
(Max)=4.6(Pulse Width
≤
t
CYC
/
2)
** In Case of I/O Pins, the Max. V
IH
=V
DDQ
+0.5V
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
UNIT
Input Leakage Current(except ZZ)
I
IL
V
DD
=Max , V
IN
=V
SS
to V
DD
-2
+2
μ
A
μ
A
Output Leakage Current
I
OL
Output Disabled, V
OUT
=V
SS
to V
DDQ
-2
+2
Operating Current
I
CC
Device Selected, I
OUT
=0mA,
ZZ
≤
V
IL
, All Inputs=V
IL
or V
IH
Cycle Time
≥
t
CYC
min
-75
-
350
mA
-80
-
325
-90
-
300
Standby Current
I
SB
Device deselected, I
OUT
=0mA,
ZZ
≤
V
IL
, f=Max,
All Inputs
≤
0.2V or
≥
V
DD
-0.2V
-75
-
100
mA
-80
-
90
-90
-
80
I
SB1
Device deselected, I
OUT
=0mA, ZZ
≤
0.2V, f=0,
All Inputs=fixed (V
DD
-0.2V or 0.2V)
-
30
mA
I
SB2
Device deselected, I
OUT
=0mA, ZZ
≥
V
DD
-0.2V,
f=Max, All Inputs
≤
V
IL
or
≥
V
IH
-
30
mA
Output Low Voltage(3.3V I/O)
V
OL
I
OL
= 8.0mA
-
0.4
V
Output High Voltage(3.3V I/O)
V
OH
I
OH
= -4.0mA
2.4
-
V
Output Low Voltage(2.5V I/O)
V
OL
I
OL
= 1.0mA
-
0.4
V
Output High Voltage(2.5V I/O)
V
OH
I
OH
= -1.0mA
2.0
-
V
Input Low Voltage(3.3V I/O)
V
IL
-0.5*
0.8
V
Input High Voltage(3.3V I/O)
V
IH
2.0
V
DD
+0.5**
V
Input Low Voltage(2.5V I/O)
V
IL
-0.3*
0.7
V
Input High Voltage(2.5V I/O)
V
IH
1.7
V
DD
+0.5**
V
TEST CONDITIONS
(V
DD
=3.3V+0.3V/-0.165V,V
DDQ
=3.3V+0.3/-0.165V or V
DD
=3.3V+0.3V/-0.165V,V
DDQ
=2.5V+0.4V/-0.125V, T
A
=0 to 70
°
C)
PARAMETER
VALUE
Input Pulse Level(for 3.3V I/O)
0 to 3V
Input Pulse Level(for 2.5V I/O)
0 to 2.5V
Input Rise and Fall Time(Measured at 0.3V and 2.7V for 3.3V I/O)
2ns
Input Rise and Fall Time(Measured at 0.3V and 2.1V for 2.5V I/O)
2ns
Input and Output Timing Reference Levels for 3.3V I/O
1.5V
Input and Output Timing Reference Levels for 2.5V I/O
V
DDQ
/2
Output Load
See Fig. 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K7B801825M 256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM
K7B803625M 256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM
K7D321874A 32Mb A-die DDR SRAM Specification
K7D321874A-HC33 32Mb A-die DDR SRAM Specification
K7D321874A-HC37 32Mb A-die DDR SRAM Specification
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K7B403625M-QC75 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K7B403625M-QC90 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K7B801825B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM
K7B801825B-PC75000 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
K7B801825B-QC65 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM
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