參數(shù)資料
型號(hào): K7B403625M
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 128Kx36-Bit Synchronous Burst SRAM
中文描述: 128K × 36至位同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù): 11/16頁(yè)
文件大?。?/td> 439K
代理商: K7B403625M
K7B403625M
128Kx36 Synchronous SRAM
- 11 -
Rev 2.0
December 1998
T
C
A
A
W
C
A
O
D
t
C
t
C
t
D
t
D
Q
D
t
O
t
O
A
A
A
D
Q
Q
Q
t
S
t
S
t
A
t
A
t
W
t
W
t
A
t
A
t
L
t
H
t
C
t
H
t
L
D
t
U
t
C
Q
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K7B801825M 256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM
K7B803625M 256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM
K7D321874A 32Mb A-die DDR SRAM Specification
K7D321874A-HC33 32Mb A-die DDR SRAM Specification
K7D321874A-HC37 32Mb A-die DDR SRAM Specification
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K7B403625M-QC75 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K7B403625M-QC90 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K7B801825B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM
K7B801825B-PC75000 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
K7B801825B-QC65 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM