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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT72T6360L6BB |
| 廠商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 35/51頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FLOW-CTRL 36BIT 6NS 324-BGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 類(lèi)型： | 連續(xù)流量控制 |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 324-BGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 324-PBGA（19x19） |
| 包裝： | 托盤(pán) |
| 其它名稱(chēng)： | 72T6360L6BB |
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40
IDT72T6360 2.5V, SEQUENTIAL FLOW-CONTROL DEVICE
x9, x18, x36 BIT WIDE CONFIGURATION
COMMERCIALANDINDUSTRIAL
TEMPERATURERANGES
FEBRUARY 10, 2009
6ns
7-5ns
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
tDS
DataSetupTime
2
—
2.5
—
ns
tDH
Data Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
tENH
Enable Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
tA
Data Access Time
1
4
1
5
ns
tPAFs
WCLK to Synchronous
PAF
—4
—5
ns
tPAEs
RCLK to Synchronous
PAE
—4
—5
ns
tSKEW2
Skew time between RCLK and WCLK for
PAE/PAF
5—
7—
ns
Figure 21. Synchronous
PAE
PAE Flag - IDT Standard Mode and FWFT Mode
Figure 22. Synchronous
PAF
PAF Flag - IDT Standard Mode and FWFT Mode
WCLK
WEN
D[35:0]
RCLK
REN
Q[35:0]
PAE
tDS
tDH
tENH
12
tSKEW2
tPAEs
12
tPAEs
n + 1 words or less in Memory
(2)
n words or less in Memory
(2)
n + 2 words or more in Memory
(2)
n + 1 words or more in Memory
(2)
tA
tENS
tENH
Word 0
Previous Word in Register
Word n + 1
6357 drw35
12
1
2
tA
tENS
tENH
tDS
tDH
WCLK
WEN
D[35:0]
RCLK
REN
Q[35:0]
PAF
Word D - m
Word D - (m + 1)
tPAFs
D - (m + 1) words or less in Memory
tPAFs
tSKEW2
tDH
Previous Word in Register
Word 0
D - m words or more in Memory
6357 drw36
NOTES:
1. tSKEW2 is the minimum time between a rising WCLK edge and a rising RCLK edge to guarantee that
PAE will go HIGH after one RCLK
cycle (plus tPAEs). If tSKEW2 is not met, then
PAE de-assertion may be delayed one extra RCLK cycle.
2. n =
PAE offset, see Table10 for information on setting PAE offset values.
3. Settings:
OE = LOW, RCS = LOW, BM[3:0] = 1000, ASYR = HIGH, and ASYW = HIGH.
NOTES:
1. tSKEW2 is the minimum time between a rising WCLK edge and a rising RCLK edge to guarantee that
PAF will go HIGH after one RCLK
cycle (plus tPAFs). If tSKEW2 is not met, then
PAF de-assertion may be delayed one extra RCLK cycle.
2. m =
PAF offset, D = density of SFC, see Table10 for information on setting PAF offset values.
3. Settings:
OE = LOW, RCS = LOW, BM[3:0] = 1000, ASYR = HIGH, and ASYW = HIGH.
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