- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370793 > HYB5118165BJ-60 (SIEMENS A G) RES 10.0-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB5118165BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | RES 10.0-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42 |
| 文件頁數(shù)： | 7/26頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | HYB5118165BJ-60 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁當(dāng)前第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁
Semiconductor Group
7
HYB 5116(8)165BSJ-50/-60/-70
1M x 16-EDO DRAM
Average
V
CC
supply current,
during hyper page mode:
-50 ns version
-60 ns version
-70 ns version
(RAS =
V
IL
, CAS, address cycling:
t
PC
=
t
PC
min.)
Standby
V
CC
supply current
(RAS = CAS =
V
CC
– 0.2 V)
Average
V
CC
supply current, during CAS-
before-RAS refresh mode: -50 ns version
I
CC4
–
–
–
70 (90)
55 (75)
45 (60)
mA
mA
mA
2) 3) 4)
I
CC5
–
1
mA
1)
-60 ns version
-70 ns version
(RAS, CAS cycling:
t
RC
=
t
RC
min.)
Average Self Refresh Current
I
CC6
–
–
–
100(200)
90 (180)
80 (160)
mA
mA
mA
2) 4)
(CBR cycle with tRAS>TRASSmin., CAS held low,
WE=Vcc-0.2V, Address and Din=Vcc - 0.2V or 0.2V)
I
CC7
_
1
mA
Capacitance
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A11)
C
I1
C
I2
C
IO
–
5
pF
Input capacitance (RAS, UCAS, LCAS, WE, OE)
–
7
pF
I/O capacitance (I/O1-I/O16)
–
7
pF
DC Characteristics
( note : values in brackets for HYB5118165BSJ)
T
A
= 0 to 70 °C,
V
SS
= 0 V,
V
CC
= 5 V
±
10 %;
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Test
Condition
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB5118165BSJ-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118165BJ-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| HYB5118165BST-50 | RES 110-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA |
| HYB5118165BST-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5116165BJ-50 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5118165BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| HYB5118165BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118165BSJ-60 | 制造商:Siemens 功能描述:Dynamic RAM, EDO, 1M x 16, 42 Pin, Plastic, SOJ |
| HYB5118165BSJBST-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118165BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。