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參數(shù)資料
| 型號： | HYB5118165BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | RES 10.0-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42 |
| 文件頁數(shù)： | 18/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 269K |
| 代理商： | HYB5118165BJ-60 |
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Semiconductor Group
18
HYB 5116(8)165BSJ-50/-60/-70
1M x 16-EDO DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Early Write Cycle
LCAS
t
RP
t
RSH
t
CAS
t
CAS
t
CP
t
CRP
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RAL
t
CAH
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CAH
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CSH
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CAS
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RAH
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DH
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DS
t
DH
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DS
Column 1
Column 2
Row
Addr
Data In N
Data In 2
Data In 1
Column N
RAS
I/O (Input)
WE
Address
UCAS
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
VOH
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OE
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RAS
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CRP
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CWL
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RWL
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DH
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DS
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HPC
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CAH
t
RAD
t
RHCP
t
ASC
WL8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HYB5118165BST-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5116165BJ-50 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB5118165BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
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