參數(shù)資料
型號(hào)： HYB5118165BJ-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： RES 10.0-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA
中文描述： 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42
文件頁數(shù)： 21/26頁
文件大小： 269K
代理商： HYB5118165BJ-60
Semiconductor Group
21
HYB 5116(8)165BSJ-50/-60/-70
1M x 16-EDO DRAM
CAS-Before-RAS Refresh Cycle
t
RP
t
RAS
t
RP
t
RC
t
CRP
t
CP
t
RPC
t
CHR
t
WRH
t
WRP
t
CSR
t
RPC
t
OFF
t
OEZ
t
CDD
t
ODD
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
HI-Z
“H” or “L”
RAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
OE
WE
UCAS
LCAS
VOH
VOL
WL10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HYB5118165BST-60 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HYB5118165BSJBST-50- 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
HYB5118165BST-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
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