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參數(shù)資料
| 型號： | HYB5118165BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | RES 10.0-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42 |
| 文件頁數(shù)： | 19/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 269K |
| 代理商： | HYB5118165BJ-60 |
Semiconductor Group
19
HYB 5116(8)165BSJ-50/-60/-70
1M x 16-EDO DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Late Write and Read-Modify Write Cycle
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WL17
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HYB5118165BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
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