參數(shù)資料
型號: HYB5118165BJ-60
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: RES 10.0-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA
中文描述: 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42
文件頁數(shù): 12/26頁
文件大小: 269K
代理商: HYB5118165BJ-60
Semiconductor Group
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HYB 5116(8)165BSJ-50/-60/-70
1M x 16-EDO DRAM
相關PDF資料
PDF描述
HYB5118165BSJ-60 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
HYB5118165BJ-70 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh
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HYB5118165BST-60 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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HYB5118165BSJ-60 制造商:Siemens 功能描述:Dynamic RAM, EDO, 1M x 16, 42 Pin, Plastic, SOJ
HYB5118165BSJBST-50- 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
HYB5118165BST-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh