參數(shù)資料
型號(hào)： HYB5118165BJ-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： RES 10.0-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA
中文描述： 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42
文件頁(yè)數(shù)： 16/26頁(yè)
文件大?。?/td> 269K
代理商： HYB5118165BJ-60
Semiconductor Group
16
HYB 5116(8)165BSJ-50/-60/-70
1M x 16-EDO DRAM
Read-Write (Read-Modify-Write) Cycle
Row
Row
t
CSH
t
CAS
t
CRP
t
RWC
t
AWD
t
ASR
t
RP
t
RAS
t
RAH
t
CAH
I/O
(Outputs)
VOH
VOL
VIH
VIL
VIH
VIL
I/O
(Inputs)
OE
WE
VIH
VIL
t
ASR
Column
t
RCD
t
DH
t
RSH
t
RAD
t
CWD
t
OEH
t
RWD
t
RWL
t
WP
t
CWL
t
CLZ
t
RCS
t
AA
t
OEA
t
DS
t
DZC
t
DZO
t
ODD
t
CAC
t
OEZ
Valid
Data in
Data
Out
t
RAC
“H” or “L”
t
ASC
VIH
VIL
VIH
VIL
RAS
CAS
Address
VIH
VIL
WL4
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PDF描述
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