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參數(shù)資料
| 型號： | HYB5118165BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | RES 10.0-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42 |
| 文件頁數(shù)： | 14/26頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | HYB5118165BJ-60 |
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Semiconductor Group
14
HYB 5116(8)165BSJ-50/-60/-70
1M x 16-EDO DRAM
Write Cycle (Early Write)
RAS
UCAS
LCAS
Address
WE
OE
I/O
(Inputs)
I/O
(Outputs)
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
t
RCD
.
t
RAS
t
RC
t
CSH
t
RAD
t
CAS
t
RP
t
CRP
t
RSH
t
RAL
t
ASR
t
CAH
t
ASR
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
ASC
t
WCH
Valid Data In
t
DS
t
DH
Hi Z
Column
Row
Row
t
RAH
t
WCS
“H” or “L”
WL2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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