參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AF-3.7
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 94/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512800AF-3.7
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Currents Measurement Specifications and Conditions
Data Sheet
94
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
Table 47
Product Type Speed Code
Speed Grade
Symbol
I
DD0
I
DD
Specification for DDR2–533C and DDR2–400B
–3.7
DDR2–533C
Max.
65
80
75
90
40
4
30
40
16
5
90
100
95
110
130
6
4
140
220
–5
DDR2–400B
Max.
55
70
60
75
32
4
25
35
13
5
70
85
75
90
120
6
4
130
210
Unit
Note
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
×
4/
×
8
×
16
×
4/
×
8
×
16
I
DD1
I
DD2N
I
DD2P
I
DD2Q
I
DD3N
I
DD3P
1)
×
4/
×
8
2)
×
16
×
4/
×
8
×
16
×
4/
×
8
×
16
3)
1) MRS(12)=0
2) MRS(12)=1
3) 0
≤
T
CASE
≤
85 °C
4) standard products
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5B
I
DD5D
I
DD6
I
DD7
3)
3)4)
×
4/
×
8
×
16
相關PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AC-37 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC-5 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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