參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AF-3.7
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 78/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512800AF-3.7
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
AC & DC Operating Conditions
Data Sheet
78
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
5.2
DC Characteristics
Table 25
Symbol
Recommended DC Operating Conditions (SSTL_18)
Parameter
Rating
Min.
1.7
1.7
1.7
0.49
×
V
DDQ
V
REF
– 0.04
Unit
Note
Typ.
1.8
1.8
1.8
0.5
×
V
DDQ
V
REF
Max.
1.9
1.9
1.9
0.51
×
V
DDQ
V
REF
+ 0.04
V
DD
V
DDDL
V
DDQ
V
REF
V
TT
Supply Voltage
Supply Voltage for DLL
Supply Voltage for Output
Input Reference Voltage
Termination Voltage
V
V
V
V
V
1)
1)
V
DDQ
tracks with
V
DD
,
V
DDDL
tracks with
V
DD
. AC parameters are measured with
V
DD
,
V
DDQ
and
V
DDDL
tied together.
2) The value of
V
REF
may be selected by the user to provide optimum noise margin in the system. Typically the value of
V
REF
is expected to be about 0.5
×
V
DDQ
of the transmitting device and
V
REF
is expected to track variations in
V
DDQ
.
3) Peak to peak ac noise on
V
REF
may not exceed
±
2%
V
REF
(dc)
4)
V
TT
is not applied directly to the device.
V
TT
is a system supply for signal termination resistors, is expected to be set equal
to
V
REF
, and must track variations in die dc level of
V
REF
.
1)
1)
2)3)
4)
Table 26
Parameter / Condition
Termination resistor impedance value for
EMRS(1)[A6,A2] = [0,1]; 75 Ohm
Termination resistor impedance value for
EMRS(1)[A6,A2] =[1,0]; 150 Ohm
Termination resistor impedance value for
EMRS(1)(A6,A2)=[1,1]; 50 Ohm
Deviation of
V
M
with respect to
V
DDQ
/ 2
ODT DC Electrical Characteristics
Symbol
Rtt1(eff)
Min.
60
Nom.
75
Max.
90
Unit
Note
1)
1) Measurement Definition for Rtt(eff): Apply
V
IH(ac)
and
V
IL(ac)
to test pin separately, then measure current
I
(
V
IHac
) and
I
(
V
ILac
)
respectively. Rtt(eff) = (
V
IH(ac)
–
V
IL(ac)
) /(
I
(
V
IHac
) –
I
(
V
ILac
)).
2) Measurement Definition for
V
M
: Turn ODT on and measure voltage (
V
M
) at test pin (midpoint) with no load:
delta
V
M
= ((2 x
V
M
/
V
DDQ
) – 1) x 100%
Rtt2(eff)
120
150
180
1)
Rtt3(eff)
40
50
60
1)
delta
V
M
–6.00
—
+ 6.00
%
2)
Table 27
Symbol
IIL
IOL
Input and Output Leakage Currents
Parameter / Condition
Input Leakage Current; any input 0 V <
V
IN
<
V
DD
Output Leakage Current; 0 V <
V
OUT
<
V
DDQ
Min.
–2
–5
Max.
+2
+5
Unit
μ
A
μ
A
Note
1)
1) all other pins not under test = 0 V
2) DQ’s, LDQS, LDQS, UDQS, UDQS, DQS, DQS, RDQS, RDQS are disabled and ODT is turned off
2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AC-37 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC-5 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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