參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AF-3.7
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 112/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512800AF-3.7
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
AC Timing Measurement Conditions
Data Sheet
112
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
Table 59
Derating Values for Data Setup and Hold Time of Differential DQS (DDR2-667)
DQS, DQS Differential Slew Rate
1)2)
4.0 V/ns
3.0 V/ns
2.0 V/ns
1.8 V/ns 1.6 V/ns 1.4 V/ns 1.2 V/ns
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
D
2.0
1.5
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
1) All units in ps.
2) For all input signals
t
DS
(total) =
t
DS
(base) +
t
DS
and
t
DH
(total) =
t
DH
(base) +
t
DH
1.0 V/ns
t
DS
0.8 V/ns
t
DS
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DH
t
DH
+100 +45 +100 +45 +100 +45 —
+67
+21 +67
+21 +67
0
0
0
0
—
—
–5
–14 –5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
+17
–6
–35
–77
–140 –20
—
—
—
—
—
+38
+26
0
—
—
—
—
—
+6
–23
–65
–28
—
—
—
—
—
—
+538 –11
+12
–28
—
—
—
—
—
—
+21 +97 +33 —
0
+12 +12 +24 +24 —
–14 +7
–2
–31 –1
–19 +11 –7
—
–10 –42 +2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0
+19 +10 +31 +22 —
+23 +5
–30 +14 –18 +26
–10 –59 +2
—
—
–24 –89 –12
—
—
—
–13
—
—
—
—
+35
–47 +14
–53
–116
—
–52
Table 60
Derating Values for Data Setup and Hold Time of Differential DQS (DDR2-400 & -533)
DQS, DQS Differential Slew Rate
1)2)
4.0 V/ns
3.0 V/ns
2.0 V/ns
1.8 V/ns 1.6 V/ns 1.4 V/ns 1.2 V/ns
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
D
2.0
1.5
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
1) All units in ps.
2) For all input signals
t
DS
(total) =
t
DS
(base) +
t
DS
and
t
DH
(total) =
t
DH
(base) +
t
DH
1.0 V/ns
t
DS
0.8 V/ns
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DH
t
DH
+125 +45 +125 +45 +125 +45 —
+83
+21 +83
+21 +83
0
0
0
0
—
—
–11
–14 –11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
+17
–6
–35
–77
—
—
—
—
—
+17
–7
–50
—
—
—
—
—
+6
–23
–65
—
—
—
—
—
—
+5
–38
—
—
—
—
—
—
–11
–53
+21 +95 +33 —
0
+12 +12 +24 +24 —
–14 +1
–2
–31 –13 –19 –1
—
–31 –42 –19 –30 –7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0
+13 +10 +25 +22 —
–7
+11 +5
–25
—
—
—
—
+23
–18 +5
–43 –59 –31 –47 –19
—
—
–74 –89 –62
—
—
—
—
–127 –140 –115 –128 –103 –116
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AC-37 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC-5 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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