參數(shù)資料
型號： HYB18T512400AF-3S
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 85/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512400AF-3S
Data Sheet
85
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
AC & DC Operating Conditions
Table 36
Voltage (V)
Full Strength Calibrated Pull-down Driver Characteristics
Calibrated Pull-down Driver Current [mA]
Nominal Minimum
1)
(21 Ohms)
(18.75 Ohms)
1) The driver characteristics evaluation conditions are Nominal Minimum 95 °C (
T
CASE
).
V
DDQ
= 1.7 V, any process
2) The driver characteristics evaluation conditions are Nominal Low and Nominal High 25 °C (
T
CASE
),
V
DDQ
= 1.8V, any
process
3) The driver characteristics evaluation conditions are Nominal 25 °C (
T
CASE
),
V
DDQ
= 1.8 V, typical process
4) The driver characteristics evaluation conditions are Nominal Maximum 0 °C (
T
CASE
),
V
DDQ
= 1.9 V, any process
Nominal Low
2)
Nominal
3)
(18 ohms)
Nominal High
2)
(17.25 Ohms)
Nominal
Maximum
4)
(15 Ohms)
13.3
20.0
27.0
0.2
0.3
0.4
9.5
14.3
18.7
10.7
16.0
21.0
11.5
16.6
21.6
11.8
17.4
23.0
Table 37
Voltage (V)
Full Strength Calibrated Pull-up Driver Characteristics
Calibrated Pull-up Driver Current [mA]
Nominal
Minimum
1)
(21 Ohms)
–9.5
–10.7
–14.3
–16.0
–18.3
–21.0
1) The driver characteristics evaluation conditions are Nominal Minimum 95 °C (
T
CASE
).
V
DDQ
= 1.7 V, any process
2) The driver characteristics evaluation conditions are Nominal Low and Nominal High 25 °C (
T
CASE
),
V
DDQ
= 1.8V, any
process
3) The driver characteristics evaluation conditions are Nominal 25 °C (
T
CASE
),
V
DDQ
= 1.8 V, typical process
4) The driver characteristics evaluation conditions are Nominal Maximum 0 °C (
T
CASE
),
V
DDQ
= 1.9 V, any process
Nominal Low
2)
(18.75 Ohms)
Nominal
(18 ohms)
3)
Nominal High
2)
(17.25 Ohms)
Nominal
Maximum
4)
(15 Ohms)
–13.3
–20.0
–27.0
0.2
0.3
0.4
–11.4
–16.5
–21.2
–11.8
–17.4
–23.0
相關PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AC-37 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC-5 M39012 MIL RF CONNECTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*