參數(shù)資料
型號： HYB18T512400AF-3S
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 102/117頁
文件大小： 2102K
代理商： HYB18T512400AF-3S
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Electrical Characteristics
Data Sheet
102
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
10
7.5
Address and control input setup
time
DQ low-impedance time from CK /
CK
DQS low-impedance from CK / CK
t
LZ(DQS)
Mode register set command cycle
time
OCD drive mode output delay
Data output hold time from DQS
Data hold skew factor
Average periodic refresh Interval
t
IS
(base)
250
—
350
—
ps
9)
t
LZ(DQ)
2
x
t
AC.MIN
t
AC.MAX
2
x
t
AC.MIN
t
AC.MAX
ps
12)
t
AC.MIN
2
t
AC.MAX
—
t
AC.MIN
2
t
AC.MAX
—
ps
t
CK
12)
t
MRD
t
OIT
t
QH
t
QHS
t
REFI
0
t
HP
–
t
QHS
—
—
—
105
12
—
400
7.8
3.9
—
0
t
HPQ
–
t
QHS
—
—
—
105
12
—
450
7.8
3.9
—
ns
ps
μ
s
μ
s
ns
13)14)
13)15)
Auto-Refresh to Active/Auto-
Refresh command period
Read preamble
Read postamble
Active bank A to Active bank B
command period
t
RFC
1)
t
RPRE
t
RPST
t
RRD
0.9
0.40
7.5
1.1
0.60
—
—
—
0.9
0.40
7.5
10
7.5
1.1
0.60
—
—
—
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
12)
12)
16)17)
18)17)
Internal Read to Precharge
command delay
Write preamble
Write postamble
Write recovery time for write
without Auto-Precharge
Write recovery time for write with
Auto-Precharge
Internal Write to Read command
delay
Exit power down to any valid
command
(other than NOP or Deselect)
Exit active power-down mode to
Read command (slow exit, lower
power)
Exit precharge power-down to any
valid command (other than NOP or
Deselect)
Exit Self-Refresh to non-Read
command
Exit Self-Refresh to Read
command
1)
V
DDQ
= 1.8 V ± 0.1V;
V
DD
= 1.8 V ± 0.1 V. See notes
3)4)5)6)
t
RTP
t
WPRE
t
WPST
t
WR
0.35x
t
CK
0.40
15
—
0.60
—
0.35x
t
CK
0.40
15
—
0.60
—
t
CK
t
CK
ns
19)
WR
t
WR
/
t
CK
t
WR
/
t
CK
t
CK
t
WTR
7.5
—
10
—
ns
20)
t
XARD
2
—
2
—
t
CK
21)
t
XARDS
6 – AL
—
6 – AL
—
t
CK
21)
t
XP
2
—
2
—
t
CK
t
XSNR
t
RFC
+10
—
t
RFC
+10
—
ns
t
XSRD
200
—
200
—
t
CK
Table 54
Parameter
Timing Parameter by Speed Grade - DDR2-400B & DDR2-533C
(cont’d)
Symbol
DDR2–533C
Min.
DDR2–400B
Min.
Unit Note
1)2)3)4)5)
6)
Max.
Max.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AC-37 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC-5 M39012 MIL RF CONNECTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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