參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512400AF-3S
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 36/117頁(yè)
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512400AF-3S
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HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Functional Description
Data Sheet
36
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
3.12
Off-Chip Driver (OCD) Impedance Adjustment
DDR2 SDRAM supports driver calibration feature and
the flow chart below is an example of the sequence.
Every calibration mode command should be followed
by “OCD calibration mode exit” before any other
command being issued. MRS should be set before
entering OCD impedance adjustment and On Die
Termination (ODT) should be carefully controlled
depending on system environment.
OCD Impedance Adjustment Flow Chart
Figure 9
OCD Impedance Adjustment Flow Chart
Note:MR should be set before entering OCD impedance adjustment and ODT should be carefully controlled
depending on system environment
-0&4
3TART
%-23 /#$ CALIBRATION MODE EXIT
.EED #ALIBRATION
%-23
%NTER !DJUST -ODE
",
CODE INPUT TO ALL $1S
)NC $EC OR ./0
%-23 /#$ CALIBRATION MODE EXIT
%-23 /#$ CALIBRATION MODE EXIT
%-23 $RIVE
$13 (IGH $13 ,OW
$1
!,, /+
%-23 $RIVE
$13 ,OW $13 (IGH
$1
4EST
4EST
%-23 /#$ CALIBRATION MODE EXIT
%-23
%NTER !DJUST -ODE
",
CODE INPUT TO ALL $1S
)NC $EC OR ./0
.EED #ALIBRATION
%-23 /#$ CALIBRATION MODE EXIT
%-23 /#$ CALIBRATION MODE EXIT
%ND
!,, /+
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AC-37 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC-5 M39012 MIL RF CONNECTOR
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參數(shù)描述
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HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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