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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512400AF-3S |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 42/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512400AF-3S |
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HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Functional Description
Data Sheet
42
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
Figure 14
ODT Timing for Precharge Power-Down and Active Power-Down Mode
Note:Asynchronous ODT timings apply for Precharge Power-Down Mode and “Slow Exit” Active Power Down
Mode (MRS bit A12 set to “1”), where the on-die DLL is disabled in this mode of operation.
ODT timing mode switch
When entering the Power Down Modes “Slow Exit” Active Power Down and Precharge Power Down two additional
timing parameters (
t
ANPD
and
t
AXPD
) define if synchronous or asynchronous ODT timings have to be applied.
Mode entry
As long as the timing parameter
t
ANPD.MIN
is satisfied
when ODT is turned on or off before entering these
power-down modes, synchronous timing parameters
can be applied. If
t
ANPD.MIN
is not satisfied,
asynchronous timing parameters apply.
tAOFPDmax
tAOFPDmin
CKE
DQ
ODT
ODT02
CK, CK
"low"
T
0
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
t
IS
t
IS
Rtt
tAONPD,min
tAONPD,max
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512800AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AC-37 | M39012 MIL RF CONNECTOR |
| HYB18T512800AC-5 | M39012 MIL RF CONNECTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T512800BF-3.7 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
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