參數(shù)資料
型號： HYB18RL25616AC-3.3
英文描述： ?256M (16Mx16) 300MHz ?
中文描述： ？256M（16Mx16顯示）300MHz的？
文件頁數(shù)： 36/36頁
文件大?。?/td> 869K
代理商： HYB18RL25616AC-3.3
HYB18RL25616/32AC
256 Mbit DDR Reduced Latency DRAM
Version 1.42
Page 36
Infineon Technologies
This specification is preliminary and subject to change without notice
4.6
Operating Currents
Table 16 IDD Specifications and Conditions
Parameter
Symbol/
Freq
Limit Values
x16
tbd
tbd
Unit
Notes
x32
IDD1 (*)
Operating Current
(Average Power
Supply Current)
300MHz
VDD
VEXT
tbd
tbd
tbd
tbd
mA
mA
Burst Length = 2
tCK=min, tRC=min,
1 bank active,
Address change one time
during min tRC,
Read/Write command
cycling
1.)
Burst Length = 4
tCK=min, tRC=min,
4 banks interleave,
address change with
each bank activation,
continuous read
operation
1.)
Burst Length = 2
tCK=min, tRC=min,
8banks interleave,
address change with
each bank activation,
continuous read
operation
1.)
250MHz
VDD
VEXT
tbd
tbd
mA
mA
200MHz
VDD
VEXT
tbd
tbd
tbd
tbd
mA
mA
IDD4R (*)
Operating Current
(Average Power
Supply Current)
300MHz
VDD
VEXT
tbd
tbd
tbd
tbd
mA
mA
250MHz
VDD
VEXT
tbd
tbd
tbd
tbd
tbd
tbd
mA
mA
200MHz
VDD
VEXT
tbd
tbd
mA
mA
IDD8 (*)
Operating Current
(Average Power
Supply Current)
300MHz
VDD
VEXT
tbd
tbd
tbd
tbd
mA
mA
250MHz
VDD
VEXT
tbd
tbd
tbd
tbd
tbd
tbd
mA
mA
200MHz
VDD
VEXT
tbd
tbd
mA
mA
Standby Current
300MHz
VDD
VEXT
tbd
tbd
tbd
tbd
mA
mA
tCK=min
All banks idle, CS=1
address/data toggling
one time/4 clk clock
inputs
250MHz
VDD
VEXT
tbd
tbd
tbd
tbd
mA
mA
200MHz
VDD
VEXT
tbd
tbd
tbd
tbd
tbd
tbd
mA
mA
Auto Refresh Current
300MHz
VDD
VEXT
tbd
tbd
mA
mA
tCK=min
All banks idle, CS=1
64k refresh commands/
32ms
250MHz
VDD
VEXT
tbd
tbd
tbd
tbd
mA
mA
200MHz
VDD
VEXT
tbd
tbd
tbd
tbd
mA
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18RL25616AC-4 ?256M (16Mx16) 250MHz ?
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參數(shù)描述
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HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
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