參數(shù)資料
型號： HYB18RL25616AC-3.3
英文描述： ?256M (16Mx16) 300MHz ?
中文描述： ？256M（16Mx16顯示）300MHz的？
文件頁數(shù)： 32/36頁
文件大小： 869K
代理商： HYB18RL25616AC-3.3
HYB18RL25616/32AC
256 Mbit DDR Reduced Latency DRAM
Version 1.42
RL-II_xxxxx_1.2_xxxx_xx
Page 32
Infineon Technologies
This specification is preliminary and subject to change without notice
3.7
JTAG TAP Controller State Diagram
Figure 28 TAP Controller State Diagram
3.8
JTAG DC Operating Conditons
Parameter
Symbol
Limit Values
min.
VREF
+ 0.15
VSSQ
-0.3
VREF
+ tbd
-
Unit Notes
typ.
-
max.
VDDQ
+ 0.3
VREF
- 0.15
-
Input logic high voltage,
DC
Input logic low voltage,
DC
Output logic high
voltage (IOH = -tbd mA)
Output logic low voltage
(IOL = tbd mA)
VTIH
V
VTIL
-
V
VTOH
-
V
VTOL
-
VREF
- tbd
V
Test Logic Reset
0
Run Test Idle
Select DR
Select IR
1
0
1
1
1
Capture DR
0
0
Shift DR
1
Exit DR
Pause DR
Exit2 DR
Update DR
Capture IR
0
0
Shift IR
Exit IR
Pause IR
Exit2 IR
Update IR
1
0
1
1
1
1
0
1
1
1
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18RL25616AC-4 ?256M (16Mx16) 250MHz ?
HYB18RL25616AC-5 ?256M (16Mx16) 200MHz ?
HYB18RL25632AC-3.3 ?256M (8Mx32) 300MHz ?
HYB18RL25632AC-5 ?256M (8Mx32) 200MHz ?
HYB25D128400AT-7 ?128Mb (32Mx4) DDR266A (2-3-3)?
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T1G400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA
HYB18T1G400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68
HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
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