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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB18RL25616AC-3.3 |
| 英文描述： | ?256M (16Mx16) 300MHz ? |
| 中文描述： | ？256M（16Mx16顯示）300MHz的？ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/36頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 869K |
| 代理商： | HYB18RL25616AC-3.3 |
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HYB18RL25616/32AC
256 Mbit DDR Reduced Latency DRAM
Version 1.42
RL-II_xxxxx_1.2_xxxx_xx
Page 29
Infineon Technologies
This specification is preliminary and subject to change without notice
3.4
Boundary Scan Exit Order
3.4.1
x16 Configuration
Note: 1: Input pins are connected to Observe-Only Boundary Scan Register Cells.
Note: 2: Output pins are connected to Force-Only Boundary Scan Register Cells.
Note: 3: IO pins are connected to Control-and-Observe Boundary Scan Register Cells.
Note: 4: For BL 4 the content of the register 101 will be set to 0 if A19 is not connected. Otherwise, the register content will be equal
to the logical value applied to pin A19.
Scan
Reg#
Reg
Content
Pin
Descr
.
Pin
Name
Ball #
Ball #
Pin
Name
Pin
Descr
.
Reg
Content
Scan
Reg #
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
Data
Enb
Data
Enb
Data
Enb
Data
Enb
Data
Data
Data
Enb
Data
Enb
Data
Enb
Data
Enb
Data
Data
Data
Data
Data
Data
Data
Data
I/O
DQ1
B10
B3
DQ9
I/O
Enb
Data
Enb
Data
Enb
Data
Enb
Data
Data
Data
Enb
Data
Enb
Data
Enb
Data
Enb
Data
Data
Data
Data
Data
Data
Data
Data
Data
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
I/O
DQ0
B11
B2
DQ8
I/O
I/O
DQ3
C10
C3
DQ11
I/O
I/O
DQ2
C11
C2
DQ10
I/O
O
O
DQS0#
DQS0
D10
D11
D3
D2
DQS1#
DQS1
O
O
I/O
DQ4
E11
E2
DQ12
I/O
I/O
DQ5
E10
E3
DQ13
I/O
I/O
DQ6
F11
F2
DQ14
I/O
I/O
DQ7
F10
F3
DQ15
I/O
O
I
I
I
I
I
I
I
DVLD
A1
A2
A0
A3
A4
B0
CK
F12
G11
G10
G12
H12
H11
J11
J12
F1
G2
G3
G1
H1
H2
J2
J1
DM0
A6
A7
A5
A8
A9
B2
AS#
I
I
I
I
I
I
I
I
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
Data
Data
Data
Data
Data
Data
Data
Data
Data
Enb
Data
Enb
Data
Enb
Data
Enb
Data
Data
Data
Enb
Data
Enb
Data
Enb
Data
Enb
I
I
I
I
I
I
I
I
CK#
B1
A14
A13
A10
A12
A11
A18
K12
K11
L11
L12
M12
M10
M11
N12
K1
K2
L2
L1
M1
M3
M2
N1
WE#
REF#
CS#
A19
A15
A17
A16
DM1
I
I
I
I
I
I
I
I
Data
Data
Data
Data
Data
Data
Data
Data
Enb
Data
Enb
Data
Enb
Data
Enb
Data
Data
Data
Enb
Data
Enb
Data
Enb
Data
Enb
Data
104
103
102
101
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
80
79
I/O
DQ31
N10
N3
DQ23
I/O
I/O
DQ30
N11
N2
DQ22
I/O
I/O
DQ29
P10
P3
DQ21
I/O
I/O
DQ28
P11
P2
DQ20
I/O
O
O
DQS3
DQS3#
R11
R10
R2
R3
DQS2
DQS2#
O
O
I/O
DQ26
T11
T2
DQ18
I/O
I/O
DQ27
T10
T3
DQ19
I/O
I/O
DQ24
U11
U2
DQ16
I/O
I/O
DQ25
U10
U3
DQ17
I/O
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18RL25616AC-4 | ?256M (16Mx16) 250MHz ? |
| HYB18RL25616AC-5 | ?256M (16Mx16) 200MHz ? |
| HYB18RL25632AC-3.3 | ?256M (8Mx32) 300MHz ? |
| HYB18RL25632AC-5 | ?256M (8Mx32) 200MHz ? |
| HYB25D128400AT-7 | ?128Mb (32Mx4) DDR266A (2-3-3)? |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T1G400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T1G400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68 |
| HYB18T1G800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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